[发明专利]一种金属卤化物CsPbCl3在审

专利信息
申请号: 201711153670.7 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108046313A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 史志锋;李营;雷玲芝;马壮壮;张飞 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C01G21/00 分类号: C01G21/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 董晓慧
地址: 450001 河南*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,是按照下列步骤实现:(1)清洗衬底并吹干;(2)按照3:1的摩尔比配置CsCl和PbCl2的混合粉末;(3)将配制好的混合粉末放在水平管式炉的高温区,清洗好的衬底放在水平管式炉的低温区;(4)设定水平管式炉高温区和低温区的温度和维持时间,所述高温区的温度为540~640℃;低温区的温度为360~420℃,通入Ar气作为工作气体;(5)通过调控Ar气流量控制管式炉内的反应压强实现CsPbCl3微米块的可控生长。本发明利用简单的化学气相沉积技术,实现高质量CsPbCl3钙钛矿微米块的可控生长。该制备方法工艺简单、成本低廉、可控性强,且生长工艺可扩展至CsPbBr3和CsPbI3等材料。
搜索关键词: 一种 金属 卤化物 cspbcl base sub
【主权项】:
1.一种金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于是按照下列步骤实现:(1)清洗衬底并吹干;(2)按照3:1的摩尔比配置CsCl和PbCl2的混合粉末;(3)将配制好的混合粉末放在水平管式炉的高温区,清洗好的衬底放在水平管式炉的低温区;(4)设定水平管式炉高温区和低温区的温度和维持时间,所述高温区的温度为540~640℃;低温区的温度为360~420℃,通入Ar气作为工作气体;(5)通过调控Ar气流量控制管式炉内的反应压强实现CsPbCl3微米块的可控生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州大学,未经郑州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711153670.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top