[发明专利]一种金属卤化物CsPbCl3在审

专利信息
申请号: 201711153670.7 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108046313A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 史志锋;李营;雷玲芝;马壮壮;张飞 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C01G21/00 分类号: C01G21/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 董晓慧
地址: 450001 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 卤化物 cspbcl base sub
【权利要求书】:

1.一种金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于是按照下列步骤实现:

(1)清洗衬底并吹干;

(2)按照3:1的摩尔比配置CsCl和PbCl2的混合粉末;

(3)将配制好的混合粉末放在水平管式炉的高温区,清洗好的衬底放在水平管式炉的低温区;

(4)设定水平管式炉高温区和低温区的温度和维持时间,所述高温区的温度为540~640℃;低温区的温度为360~420℃,通入Ar气作为工作气体;

(5)通过调控Ar气流量控制管式炉内的反应压强实现CsPbCl3微米块的可控生长。

2.根据权利要求1所述的金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于:步骤(1)是将衬底分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗10分钟,然后用高纯氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于:所述衬底为表面有200nm厚SiO2层的硅衬底或云母衬底。

4.根据权利要求1所述的金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于:所述高温区和低温区的距离为15厘米。

5.根据权利要求1所述的金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于:所述步骤(4)中高温区和低温区的维持时间为20分钟。

6. 根据权利要求1所述的金属卤化物CsPbCl3钙钛矿微米块的合成方法,其特征在于:所述步骤(5)中Ar气流量为100 sccm,水平管式炉内的压强控制在200托。

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