[发明专利]一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法在审
| 申请号： | 201711152828.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108089350A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;卢轶韬;童浩;汪毅 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法，属于光通信领域，全光开关包括依次堆叠的覆盖层薄膜、硫系相变材料薄膜、隔离层薄膜、硅光子晶体和衬底。硅光子晶体包括纳米多孔结构，使得硅光子晶体具有法诺共振效应。全光开关在使用时，通过激光控制硫系相变材料薄膜的状态，调制硅光子晶体的共振状态，实现信号光透过率的调制，调制范围为通信波段1500nm至1600nm，实现光开关。本发明全光开关具有高对比度、高速率、低损耗的特点，其结构简单可降低生产成本，适应于CMOS集成易于匹配现代半导体工艺生产线，适用于工业生产和产品化。 | ||
| 搜索关键词： | 全光开关 硫系相变材料 光子晶体 薄膜 调制 制备 纳米多孔结构 半导体工艺 光通信领域 高对比度 共振效应 共振状态 激光控制 通信波段 低损耗 覆盖层 隔离层 光开关 透过率 信号光 衬底 堆叠 法诺 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种基于硫系相变材料的全光开关，其特征在于，包括依次堆叠的覆盖层薄膜(104)、硫系相变材料薄膜(103)、隔离层薄膜(102)、硅光子晶体(101)和衬底(100)。
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