[发明专利]一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法有效
| 申请号： | 201711147743.1 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107946461B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 徐泽东;陈朗 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法。该铁电阻变存储器包括依次堆叠设置的衬底层、底电极、开关层和顶电极；所述开关层包括铁电层以及与所述铁电层相邻设置的至少一层半导体层；所述铁电层在电场所用下发生极化，用于改变所述开关层的势垒。本发明通过在开关层增设至少一层半导体层且半导体层与铁电层相邻设置，相当于增加了一层可变势垒层，增大了在电场作用下开关层高低阻态的电阻比，即增大了铁电阻变存储器的存储窗口，进而实现了铁电阻变存储器的高密度存储，解决铁电阻变存储器存储窗口较小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 及其 写入 方法 读取 制备 | ||
【主权项】：
一种铁电阻变存储器，其特征在于，包括依次堆叠设置的衬底层、底电极、开关层和顶电极；所述开关层包括铁电层以及与所述铁电层相邻设置的至少一层半导体层；所述铁电层在电场所用下发生极化，用于改变所述开关层的势垒。
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