[发明专利]一种改善IGZO薄膜晶体管的稳定性的方法在审
| 申请号： | 201711139924.X | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107946199A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 石龙强 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法，该方法包括下述步骤在基板上形成IGZO薄膜晶体管；在IGZO薄膜晶体管上形成钝化层；对钝化层进行疏水化处理，在钝化层上形成疏水基团。本发明提供的改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法，可以改善IGZO薄膜晶体管上钝化层阻挡水汽的效果，解决IGZO薄膜晶体管的阈值电压负向漂移的问题，避免阈值电压严重偏负，而导致IGZO薄膜晶体管失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 igzo 薄膜晶体管 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法，其特征在于，包括下述步骤：在基板上形成IGZO薄膜晶体管；在所述IGZO薄膜晶体管上形成钝化层；对所述钝化层进行疏水化处理，在所述钝化层上形成疏水基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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