[发明专利]一种改善IGZO薄膜晶体管的稳定性的方法在审

申请号：	201711139924.X	申请日：	2017-11-16
公开（公告）号：	CN107946199A	公开（公告）日：	2018-04-20
发明（设计）人：	石龙强	申请（专利权）人：	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/34
代理公司：	深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238	代理人：	潘中毅,熊贤卿
地址：	518000 广东省深***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种改善 igzo 薄膜晶体管稳定性方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种改善IGZO薄膜晶体管的稳定性的方法。

背景技术

图1所示是一种BCE(Back Channel Etched，背沟道刻蚀型)类型的IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，IGZO薄膜晶体管2包括位于基板1上的栅极21、栅极绝缘层22、IGZO薄膜23、源极25和漏极24；IGZO薄膜晶体管2容易形成耗尽型的薄膜晶体管，即阈值电压Vth为负值。并且，IGZO薄膜晶体管2对环境的中水特别敏感。如果IGZO薄膜晶体管的背沟道受到水汽的渗入，阈值电压Vth会严重偏负，导致IGZO薄膜晶体管2失效。为了解决该问题，目前采用的方法是在薄膜晶体管上面加入钝化层。图2所示的是在IGZO薄膜晶体管2上加入第一钝化层31的结构图，第一钝化层31为SiOx，x≥1；图3所示的是在IGZO薄膜晶体管2上加入第一钝化层31和第二钝化层32的结构图，第二钝化层32采用的是有机材料，即PFA(全氟烷氧基树脂材料。图4所示的是在IGZO薄膜晶体管2上加入第一钝化层31、第二钝化层32、第三钝化层33，第一钝化层31、第二钝化层32以及第三钝化层33共同构成IGZO薄膜晶体管2的钝化层3，第三钝化层33采用的是无机材料，可以为SiOx，SiNOx，SiNx中的一种或者至少两种。但是由于制程工艺的限制，这些钝化层的膜质疏松，导致阻隔水汽的效果不好，不能完全排除水汽对IGZO薄膜晶体管2的电性的影响。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法，可以改善IGZO薄膜晶体管上钝化层阻挡水汽的效果，解决IGZO薄膜晶体管的阈值电压负向漂移的问题，避免阈值电压严重偏负，而导致IGZO薄膜晶体管失效。

本发明提供的一种改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法，包括下述步骤：

在基板上形成IGZO薄膜晶体管；

在所述IGZO薄膜晶体管上形成钝化层；

对所述钝化层进行疏水化处理，在所述钝化层上形成疏水基团。

优选地，在基板上形成IGZO薄膜晶体管，包括下述步骤：

在所述基板上形成栅极；

在所述基板上形成栅极绝缘层，且所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成IGZO薄膜、源极和漏极，且所述源极和所述漏极与所述IGZO薄膜部分重叠。

优选地，对所述钝化层进行疏水化处理，具体为：

采用氟离子对所述钝化层进行疏水化处理。