[发明专利]一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮-噻吩苯并噻二唑共轭聚合物及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201711136229.8 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107814918B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张卫锋;史柯利;魏聪源;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;吴爱琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物，其结构式如式Ⅰ所示，该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备空气稳定的双极性场效应晶体管。本发明的氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物的合成步骤少、收率高、聚合物度高、纯化工艺简单易行，适合大规模工业合成。以本发明氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物半导体材料为半导体层制备的有机场效应晶体管具有很高的空穴和电子迁移率。 |
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| 搜索关键词： | 苯并呋喃酮 苯并噻二唑 氮杂吲哚酮 共轭聚合物 制备 空穴 聚合物 有机场效应晶体管 近红外吸收光谱 半导体材料 场效应晶体管 电子迁移率 热学稳定性 半导体层 电子注入 工业合成 轨道能级 合成步骤 双极性 收率 应用 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物，其结构式如式Ⅰ所示：![]()
式Ⅰ中，R1、R2为C1‑C100的直链或支链烷基，R1与R2相同或不同，X为氢或者氟，n为聚合度，n＝10‑200。
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