[发明专利]衬底的处理方法在审
| 申请号： | 201711134321.0 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801841A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;姜信铨;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底的处理方法，其使用衬底处理设备处理所述衬底，所述衬底处理设备包括反应腔室以及围绕所述反应腔室的辅助腔室，其中所述衬底的处理方法包括：将所述衬底置于所述反应腔室内；进行提升所述反应腔室及所述辅助腔室内的压力的工艺，以使所述辅助腔室内的压力介于一大气压与所述反应腔室内的压力之间；提高所述反应腔室内的温度；以及使衬底于所述反应腔室内经受所述超临界流体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 室内 反应腔 反应腔室 衬底处理设备 辅助腔 超临界流体处理 辅助腔室 | ||
【主权项】：
1.一种衬底的处理方法，其特征在于，使用衬底处理设备处理所述衬底，所述衬底处理设备包括反应腔室以及围绕所述反应腔室的辅助腔室，其中所述方法包括：将所述衬底置于所述反应腔室内；进行提升所述反应腔室及所述辅助腔室内的压力的工艺，以使所述辅助腔室内的压力介于一大气压与所述反应腔室内的压力之间，包括进行以下步骤的至少一循环：将超临界流体与反应料供应至所述反应腔室内，以使所述反应腔室内的压力上升；以及提高所述辅助腔室内的压力；提升所述反应腔室内的温度；以及使衬底于所述反应腔室内经受所述超临界流体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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