[发明专利]氧化锌压敏电阻微观特性模拟优化计算模型有效
申请号: | 201711129180.3 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107844657B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 何金良;胡军;孟鹏飞 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F111/10 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 刘立春 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种氧化锌压敏电阻微观特性模拟优化计算模型,包括第一步优化过程、第二部优化过程,基于第一步优化过程、第二部优化过程,建立基于Voronoi网格的微结构模拟模型、晶界双肖特基势垒的导电机理模型、考虑晶间相旁路效应的晶界分区模型。其有益效果是:新模型最重要的特征在于反映了非线性晶界真实的导电机理,并且模型中核心的计算参数都是ZnO压敏电阻材料本身固有的物理参数,真正实现了ZnO压敏电阻内在微结构及晶界特性与宏观电气性能参数之间关联关系的可计算模拟。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 压敏电阻 微观 特性 模拟 优化 计算 模型 | ||
【主权项】:
一种氧化锌压敏电阻微观特性模拟优化计算模型,包括第一步优化过程、第二部优化过程,基于第一步优化过程、第二部优化过程,建立基于Voronoi网格的微结构模拟模型、晶界双肖特基势垒的导电机理模型、考虑晶间相旁路效应的晶界分区模型,其特征在于,所述第一步优化过程中,优化变量是原料成分配方和加工工艺条件,即原始最优化问题的原始优化变量;第一步优化过程的优化目标是ZnO压敏电阻的微结构及晶界特性参数,也是所述第二步优化过程的优化变量,所述第二部优化过程中,优化变量是ZnO压敏电阻的微结构及晶界特性参数,即第一步优化过程的优化目标;第二步优化过程的优化目标是ZnO压敏电阻的宏观电气性能参数,即原始优化问题的最终优化目标,所述基于Voronoi网格的微结构模拟模型的建立过程中,包括生成Voronoi种子的基本参数、确认种子实际坐标、实际坐标等效处理,所述生成Voronoi种子的基本参数、确认种子实际坐标、实际坐标等效处理依次进行,所述晶界双肖特基势垒的导电机理模型中,包括基础公式确立、模型确立、电子热激发公式计算,所述基础公式确立、模型确立、电子热激发公式计算以此进行,所述考虑晶间相旁路效应的晶界分区模型中,包括模型结构类型区域确定、模型公式确定,所述模型结构类型区域确定、模型公式确定依次进行。
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