[发明专利]晶体硅太阳电池的单面绒面制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池的单面绒面制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅片两两相叠得到紧密吸附的层叠结构后插入硅片花篮中；S2、将硅片花篮直接放入制绒液进行制绒工艺，在层叠结构的两面得到绒面；S3、分离上述层叠结构，得到单面绒面的硅片。本发明制备方法工艺简单，仅在外表面形成所需要的绒面，硅片与硅片相叠后能保护各自背面免受复杂的制绒工艺，经简单抛光处理的背面结构与现有工业化生产工艺兼容性较好；在工艺步骤相当的情况下，能够降低硅片背面的粗糙度，大幅度减少硅片背面的复合，提高制绒后硅片表面的少子寿命，从而提高了光电转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳电池的单面绒面制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将硅片两两相叠得到紧密吸附的层叠结构后插入硅片花篮中；S2、将硅片花篮直接放入制绒液进行制绒工艺，在层叠结构的两面得到绒面；S3、分离上述层叠结构，得到单面绒面的硅片。