[发明专利]一种异质单片混合信号处理器的制备方法有效
| 申请号： | 201711099427.1 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107910291B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈书明;王磊;张金英;宁希;池雅庆;陈哲;刘婧恬 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8256 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;胡君 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种异质单片混合信号处理器的制备方法，步骤包括：S1.在硅片表面沉积化合物功能薄膜，并在化合物功能薄膜上定义微纳图形，制备无源微波射频电路；S2.对经过步骤S1得到的异质硅基基片的表面使用HSQ胶，并进行热压处理后形成表面平整的二氧化硅隔离层；S3.在经过步骤S2形成有二氧化硅隔离层的异质硅基基片表面制备信号处理电路；S4.将各信号处理电路进行互连，得到异质单片混合信号处理器。本发明能够兼容硅基工艺实现异质单片混合信号处理器的制备，且具有实现操作简单、所需制备成本低、制备效率及制备良率高，并能够保证芯片系统的热可靠性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 混合 信号 处理器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于，步骤包括：S1. 在硅片表面沉积化合物功能薄膜，并在所述化合物功能薄膜上定义微纳图形，制备无源微波射频电路；S2. 对经过所述步骤S1得到的异质硅基基片的表面使用HSQ胶，并进行热压处理后形成表面平整的二氧化硅隔离层；S3. 在经过所述步骤S2形成有二氧化硅隔离层的硅基表面制备混合信号处理电路；S4. 将所述混合信号处理电路以及无源微波射频电路进行互连，得到异质单片混合信号处理器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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