[发明专利]一种异质单片混合信号处理器的制备方法

权利要求书

1.一种异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于，步骤包括：

S1. 在硅片表面沉积化合物功能薄膜，并在所述化合物功能薄膜上定义微纳图形，制备无源微波射频电路；

S2. 对经过所述步骤S1得到的异质硅基基片的表面使用HSQ胶，并进行热压处理后形成表面平整的二氧化硅隔离层；

S3. 在经过所述步骤S2形成有二氧化硅隔离层的异质硅基基片表面制备混合信号处理电路；

S4. 将所述混合信号处理电路以及无源微波射频电路进行互连，得到异质单片混合信号处理器。

2.根据权利要求1所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的具体步骤为：

S21. 在整个所述异质硅基基片表面涂覆HSQ胶，形成HSQ表面；

S22.对所述步骤S21形成的HSQ表面进行平压处理，使得HSQ表面平整；

S23. 将经过所述步骤S22后的HSQ胶体加热固化为二氧化硅，形成表面平整的二氧化硅隔离层。

3.根据权利要求2所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于：所述步骤S21中具体使用旋涂工艺在所述异质硅基基片表面涂覆HSQ胶，以使得表面均匀分布且填满缝隙。

4.根据权利要求2所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于：所述步骤S22中具体使用一块平整的热压板对所述步骤S21形成的HSQ表面进行平压处理，将所述热压板与所述HSQ胶的表面贴合，以使得HSQ表面平整。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中具体通过平面曝光工艺定义微纳图形，制备得到无源微波射频器件的金属电极。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中具体在所述异质硅基基片的表面中没有所述化合物功能薄膜覆盖的指定区域内分别制备所述混合信号处理电路。

7.根据权利要求6所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于，所述制备所述混合信号处理电路具体步骤包括：定义有源区后注入阱区离子，依次经过淀积多晶硅、注入源区、注入漏区、注入衬底接触离子后，再制作触孔、通孔，最后淀积形成金属层图形。

8.根据权利要求1～4中任意一项所述的异质单片混合信号处理器的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中具体通过通孔或键合方式将所述混合信号处理电路以及所述无源射频微波电路进行互连。