[发明专利]衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711098314.X | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107887430A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王冠宇;于明道;苗乃丹;周春宇;宋琦;王巍;袁军 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人： | 伍伦辰 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1‑yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0<y<1。通过在衬底上设置两个向上施加单轴应力的集电区引出端，提高了SiGe HBT器件的高速和高频特性。此外，根据实际需要，此种SiGe HBT器件结构可以灵活的选择衬底的晶面和晶向来施加单轴应力，为高频SiGe HBT的设计提供更大的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 施加 应力 硅锗异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底(100)及设置在所述单晶Si衬底(100)上的基区、发射区及集电区，其特征在于，所述单晶Si衬底(100)上有两个凹槽，所述两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1‑yGey材料形成集电区引出端(101)，y为自然数且0<y<1。
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