[发明专利]衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底(100)及设置在所述单晶Si衬底(100)上的基区、发射区及集电区，其特征在于，所述单晶Si衬底(100)上有两个凹槽，所述两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si_1-yGe_y材料形成集电区引出端(101)，y为自然数且0<y<1。

2.如权利要求1所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，其特征在于，所述单晶Si衬底(100)上有一层浅沟槽隔离形成的氧化物(102)，所述氧化物(102)上有与所述集电区引出端(101)相连通的集电极引线通孔，所述集电极引线通孔内及所述氧化物(102)上方有作为集电极导线层(104)的第一金属层，所述集电极导线层(104)及未被所述集电极导线层(104)覆盖的所述氧化物(102)的上有一层绝缘的隔离层(105)，所述隔离层(105)上设置有与所述单晶Si衬底(100)相连通的所述基区的有源区，所述基区为所述有源区内由下至上的第一本征Si_1-xGe_x阻挡层(106)、P型重掺杂Si_1-xGe_x层(107)及第二本征Si_1-xGe_x阻挡层(108)，x为自然数且0<x<1，x≠y。

3.如权利要求2所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，其特征在于，所述第二本征Si_1-xGe_x层(108)表面有一层单晶Si层。

4.如权利要求1所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，其特征在于，所述单晶Si衬底(100)为001晶面的N型轻掺杂单晶Si衬底(100)。

5.如权利要求1所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一金属层为铝或钨。

6.如权利要求1所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，其特征在于，所述隔离层(105)为SiO₂。

7.衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，本方法用于制造如权利要求1所述的衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括如下步骤：在单晶Si衬底(100)上刻蚀出两个凹槽，在所述两个凹槽内淀积填充N型重掺杂的Si_1-yGe_y形成集电区引出端(101)，y为自然数且0<y<1。