[发明专利]一种高交叉极化隔离的单反射面紧缩场装置在审
申请号: | 201711089854.1 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107727946A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 李志平;霍鹏;武建华;王正鹏 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01R29/10 | 分类号: | G01R29/10 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人: | 杨学明,邓治平 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高交叉极化隔离的单反射面紧缩场装置,该装置主要由单反射面紧缩场的反射面、馈源和极化栅组成。馈源照射单反射面紧缩场的精密反射面,将球面波前准直校正为平面波。为降低馈源的遮挡几何布局上采用偏馈结构,而偏馈布局是构成较大交叉极化的主要原因。在单反射面紧缩场的平面波静区前布置极化栅,对静区场进行极化滤除和选通,其中馈源及极化栅的极化状态由各自控制器控制。本发明的极化栅极化选通具有宽带工作的特点,能对平行于极化栅丝线的极化分量接近完全反射,对垂直于极化栅丝线的极化分量接近完全透射,以引入极小插损的代价极大程度提升单反射面紧缩场的极化隔离度。本发明提高了紧缩场系统设计的工程可实现性,并且有利于提升控制射频系统的动态范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 交叉 极化 隔离 反射 紧缩 装置 | ||
【主权项】:
一种高交叉极化隔离的单反射面紧缩场装置,其特征在于:该装置主要由单反射面紧缩场的反射面、馈源和极化栅组成;馈源照射单反射面紧缩场的精密反射面,将球面波前准直校正为平面波;在单反射面紧缩场的平面波静区前布置极化栅,对静区场进行极化滤除或选通,其中馈源及极化栅的极化选通状态由各自控制器控制。
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