[发明专利]用于静态随机存取存储器(SRAM)自定时器的挠曲电路有效
| 申请号： | 201711088611.6 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108074608B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 凡卡崔汉文·宾维杰亚拉梵;S·奇丹巴兰;伊戈尔·阿尔寿威士基 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭示内容涉及用于静态随机存取存储器(SRAM)自定时器的挠曲电路，有关于一种电路，其包括：第一晶体管，其具有连接至电容器的漏极，连接至反相器的输入的栅极，以及连接至接地的源极；第二晶体管，其具有连接至该电容器的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；第三晶体管，其具有连接至该反相器的输出的源极，连接至该第二晶体管的源极的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；以及第四晶体管，其具有连接至该第三晶体管的该源极的源极，连接至接地的漏极，以及连接至该电容器的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机存取存储器 sram 定时器 挠曲 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包含：第一晶体管，其具有连接至电容器的漏极，连接至反相器的输入的栅极，以及连接至接地的源极；第二晶体管，其具有连接至该电容器的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；第三晶体管，其具有连接至该反相器的输出的源极，连接至该第二晶体管的源极的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；以及第四晶体管，其具有连接至该第三晶体管的该源极的源极，连接至接地的漏极，以及连接至该电容器的栅极。
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