[发明专利]一种中空硅纳米球的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201711085365.9 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107857271A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 郭军坡;王辉 申请(专利权)人: 合肥国轩高科动力能源有限公司
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;H01M4/38;H01M10/0525
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)34119 代理人: 段晓微,叶美琴
地址: 230000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种中空硅纳米球的制备方法,包括如下步骤S1、将十六烷基三甲基溴化铵、辛烷和正硅酸乙酯的混合液进行溶剂热反应得到中间反应物,将中间反应物进行烧结得到中空二氧化硅球;S2、将中空二氧化硅球与镁粉混合,研磨,煅烧,冷却至室温,得到硅粉混合物;S3、将硅粉混合物依次进行酸洗、水洗、干燥后得到中空硅纳米球。本发明还公开了一种上述中空硅纳米球的应用领域。本发明通过提高硅球的比表面积及体积膨胀的可伸缩性,从而提高材料的容量和循环稳定性能。
搜索关键词: 一种 中空 纳米 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种中空硅纳米球的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将十六烷基三甲基溴化铵、辛烷和正硅酸乙酯的混合液进行溶剂热反应得到中间反应物,将中间反应物进行烧结得到中空二氧化硅球;S2、将中空二氧化硅球与镁粉混合,研磨,煅烧,冷却至室温,得到硅粉混合物;S3、将硅粉混合物依次进行酸洗、水洗、干燥后得到中空硅纳米球。
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