[发明专利]电容器、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711085225.1 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755386B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孔云龙;王潇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器、半导体器件及其制造方法，采用具有开口的绝缘介电层替代原来直接平铺在下极板的绝缘介电层，并将上极板形成在所述开口中，进而可以使得上极板的边缘处在所述绝缘介电层的包围和保护当中，同时可以保证上极板和下极板之间的绝缘介电层的品质，改善了上极板边缘的失效点问题，提高了电容器的可靠性及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括下极板、上极板以及绝缘介电层，其特征在于，所述绝缘介电层位于所述下极板上并具有一开口，所述上极板填充在所述开口中且通过所述开口底部的绝缘介电层与所述下极板实现电隔离。
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