[发明专利]电容器、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括下极板、上极板以及绝缘介电层，其特征在于，所述绝缘介电层位于所述下极板上并具有一开口，所述上极板填充在所述开口中且通过所述开口底部的绝缘介电层与所述下极板实现电隔离。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上极板和下极板的材质分别选自金属、多晶硅或单晶硅。

3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述电容器为多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器、金属-绝缘体-多晶硅电容器、金属-绝缘体-单晶硅电容器或金属-绝缘体-金属电容器。

4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括第一导电插塞、第二导电插塞以及层间介质层；所述层间介质层覆盖所述上极板和所述绝缘介电层；所述第一导电插塞位于所述上极板上方的层间介质层中，且所述第一导电插塞的底部与所述上极板接触；所述第二导电插塞位于所述下极板上方，并贯穿所述层间介质层和所述绝缘介电层，所述第二导电插塞的底部与所述下极板接触。

5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介电层的材质包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

6.如权利要求1至5中任一项所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介电层包括第一绝缘介电层和第二绝缘介电层，所述第一绝缘介电层位于所述下极板上并具有凹槽，所述第二绝缘介电层覆盖在所述第一绝缘介电层上并在所述凹槽处形成所述开口，所述上极板填充在所述开口中；或者，所述第一绝缘介电层完全覆盖所述下极板的上表面，所述第二绝缘介电层位于所述第一绝缘介电层上并具有所述开口，所述上极板填充在所述开口中。

7.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一绝缘介电层和第二绝缘介电层的材质相同，且厚度相同。

8.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述凹槽暴露出所述下极板的部分上表面。

9.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，当所述第一绝缘介电层完全覆盖所述下极板的上表面，所述第二绝缘介电层位于所述第一绝缘介电层上并具有所述开口时，所述开口暴露出所述第一绝缘介电层的部分上表面。

10.一种权利要求1至9中任一项所述的电容器的制造方法，包括以下步骤：

提供下极板；

在所述下极板上形成具有开口的绝缘介电层；

在所述开口中形成上极板，所述上极板通过所述开口底部的绝缘介电层与所述下极板实现电隔离。

11.如权利要求10所述的电容器的制造方法，其特征在于，提供所述下极板的步骤包括：提供衬底，在所述衬底上沉积下极板材料，刻蚀所述下极板材料以形成所述下极板。

12.如权利要求10所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述下极板上形成具有所述开口的绝缘介电层的步骤包括：

在所述下极板上沉积第一绝缘介电层；

刻蚀所述上极板区域的第一绝缘介电层，刻蚀停止在所述第一绝缘介质层中或者所述下极板表面，以形成凹槽；

在所述第一绝缘介电层和所述凹槽的表面上沉积第二绝缘介电层，所述第二绝缘介电层在所述凹槽处形成所述开口。

13.如权利要求10所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述下极板上形成具有所述开口的绝缘介电层的步骤包括：

在所述下极板上依次沉积第一绝缘介电层和第二绝缘介电层；

刻蚀所述上极板区域的第二绝缘介电层，刻蚀停止在所述第二绝缘介电层中或者所述第一绝缘介电层表面或者所述第一绝缘介电层中，以形成所述开口。