[发明专利]一种硼掺杂金刚石电极及其制备方法在审
申请号: | 201711085094.7 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN109750291A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 杨扬;唐永炳;谷继腾 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04;C23C14/35;C23C14/06;C23C16/27;C23C14/32;C23C14/18;C02F1/461;C02F1/72;C02F101/30 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了硼掺杂金刚石电极,包括电极基底,设置在所述电极基底一侧或两侧的过渡层,以及设置在所述过渡层上的硼掺杂金刚石薄膜层,所述过渡层的材质为二硼化钛、二硼化铌、二硼化钽和二硼化钨中的一种或多种,所述电极基底的材质为钛、铌、钽或钨。该硼掺杂金刚石电极采用二硼化钛等材料在电极基底与硼掺杂金刚石薄膜之间形成过渡层,有效抑制了金属基底表面疏松碳化物层的形成,提高了硼掺杂金刚石薄膜和基底间结合力,且硼掺杂金刚石薄膜质量高,膜层致密无孔洞,将其用于电化学高级氧化法处理高浓度有机废水的阳极,耐腐蚀性强,电极工作寿命长,处理效率高。本发明还提供了一种硼掺杂金刚石电极的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 硼掺杂金刚石薄膜 硼掺杂金刚石电极 电极基 过渡层 二硼化钛 制备 处理高浓度有机废水 电化学高级氧化 孔洞 致密 电极工作寿命 金属基底表面 阳极 处理效率 二硼化钽 二硼化铌 耐腐蚀性 碳化物层 有效抑制 结合力 硼化钨 基底 膜层 疏松 | ||
【主权项】:
1.一种硼掺杂金刚石电极,其特征在于,包括电极基底,设置在所述电极基底一侧或两侧的过渡层,以及设置在所述过渡层上的硼掺杂金刚石薄膜层,所述过渡层的材质为二硼化钛、二硼化铌、二硼化钽和二硼化钨中的一种或多种,所述电极基底的材质为钛、铌、钽或钨。
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