[发明专利]一种提升光伏电池扩散制结效率的方法有效
申请号: | 201711084963.4 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107895691B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;焦朋府;郭卫;张雁东;周凡 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/18 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光伏电池生产领域。一种提升光伏电池扩散制结效率的方法,对硅片进行氧化后,首先进行较低温度的大流量沉积,然后采用较高温度的大流量推进,提高PN结深度,然后采用三次较高温度的小流量沉积和推进,在硅片表面形成渐变场浓度梯度更陡的磷扩散。本发明通过渐变场钝化效应来降低表面复合速率,实现后可以提升效率至少0.07%,同时扩散均匀性改善,对于组件抗PID也有所提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 电池 扩散 效率 方法 | ||
【主权项】:
一种提升光伏电池扩散制结效率的方法,其特征在于:按照如下的步骤进行步骤一、保持氮气流量7slm/min,将携带硅片的石英舟以35cm/min的速度进入充满氮气的石英炉管中,关闭炉门,以10℃/min的升温速率至780℃,保温2分钟,保持氮气流量7slm/min,氧气流量2slm/min,保温5分钟;步骤二、第一次沉积,保持温度810℃,保持氮气流量7slm/min,三氯化氧磷流量1.45slm/min,氧气流量1.16slm/min,沉积时间为7分钟;第一次推进,以10℃/min的升温速率升温到830 ℃,保持氮气流量7slm/min、氧气流量为2.9slm/min,推进时间为6min;步骤三、第二次沉积,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,三氯化氧磷流量1.45slm/min、氧气流量为1.16slm/min,沉积时间为3min;第二次推进,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,氧气流量为1.5slm/min,推进时间为3min;步骤四、第三次沉积,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,三氯化氧磷流量1.45slm/min、氧气流量为1.16slm/min,沉积时间为1min;第三次推进,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,氧气流量为1.5slm/min,推进时间为1min;步骤五、第四次沉积,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,三氯化氧磷流量1.45slm/min、氧气流量为1.16slm/min,沉积时间为1min;第四次推进,保持温度830℃,氮气流量7slm/min,氧气流量为1.5slm/min,推进时间为1min;步骤六、以10℃/min的升温速率将温度降到780℃,保持氮气流量7slm/min,以40cm/min速度出舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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