[发明专利]一种用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料及制备方法

摘要

本发明涉及锂电池技术领域，具体涉及一种用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料及其制备方法，所述用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料的制备方法，包括以下步骤：（1）制备负载二氧化硅阵列的硅基底；（2）负载硅阵列的硅基底的制备；（3）将负载硅阵列的硅基底置于真空沉积室中，向沉积室中通入惰性气体和氮气，开启偏压电源，以锡靶位靶材，在负载硅阵列的硅基底上溅射沉积氮化锡薄膜，得到预产物；（4）向真空沉积室中通入氮气，在200~300℃，对预产物进行等离子体刻蚀，得到用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料。本发明的负极材料增加了Li离子脱嵌通道，同时细化晶粒，减少Li离子脱嵌过程中副反应产生，从而提高负极库伦效率。

主权项

一种用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将硅酸盐用溶剂溶解后，加入水解抑制剂，得到混合溶液，向混合溶液中加入硅基底，得到混合体系，将混合体系在160~200℃密闭反应4~8h，得到负载二氧化硅阵列的硅基底；（2）将负载二氧化硅阵列的硅基底与还原剂在氩气氛围中，在700~850℃下反应2~3h，得到负载硅阵列的硅基底；（3）将负载硅阵列的硅基底置于真空沉积室中，向沉积室中通入惰性气体和氮气，开启偏压电源，以锡靶位靶材，在负载硅阵列的硅基底上溅射沉积氮化锡薄膜，得到预产物；（4）向真空沉积室中通入氮气，在200~300℃，对预产物进行等离子体刻蚀，得到用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料。