[发明专利]单层MoS2同质结、光探测器及其制备方法、电子元件在审
| 申请号： | 201711075002.7 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216483A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 翟俊宜;张珂 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单层MoS2同质结、光探测器及其制备方法、电子元件，该单层MoS2同质结包含：n型MoS2和相邻的p型掺杂MoS2，二者构成p‑n同质结；其中，该p型掺杂MoS2是由单层MoS2薄膜经过选区p型离子掺杂得到的。在不引入新材料的前提下，利用简单的化学掺杂方式构造同质p‑n结，可以有效提高光生电子空穴分离效率和传输速度，提升由其制备的光探测器的响应度，具有工艺简单，低功耗等优点，还可以应用于柔性整流二极管、开关二极管、太阳能电池等电子元件中，在柔性传感、医疗检测、可穿戴器件方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 同质结 单层 光探测器 制备 空穴 开关二极管 太阳能电池 整流二极管 方式构造 分离效率 光生电子 化学掺杂 医疗检测 低功耗 可穿戴 响应度 传感 同质 薄膜 应用 选区 传输 引入 | ||
【主权项】：
1.一种单层MoS2同质结，包含：n型MoS2和相邻的p型掺杂MoS2，二者构成p‑n同质结；其中，所述p型掺杂MoS2是由单层MoS2薄膜经过选区p型离子掺杂得到的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京纳米能源与系统研究所，未经北京纳米能源与系统研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711075002.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
