[发明专利]一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201711064387.7 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107892323A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李曼;郑文;李方园;毛耀全 | 申请（专利权）人： | 畅的新材料科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00 |
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| 地址： | 200949 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法，属于低电阻率光电纳米粉体材料技术领域。一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法，包括以下步骤（1）将主要原料Al盐与Zn盐按摩尔比为0.011～0.21溶于去离子水中配制成混合溶液；（2）配制一定浓度的碱溶液，逐滴滴加到混合均匀的反应前驱液中去；（3）对得到的溶胶溶液进行离心得到沉淀物，对沉淀物进行洗涤、干燥；（4）对干燥后的沉淀物进行粉碎，煅烧即得到目标物质。本发明制备过程简易，设备要求简单，得到的产品的均匀性以及纯度较高，可适用于大规模的工业化生产，且生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 掺杂 zno 电阻率 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将主要原料Al盐与Zn盐按摩尔比为0.01:1～0.2:1溶于去离子水中配制成混合溶液，搅拌后得到均匀的反应前驱液；（2）配制一定浓度的碱溶液，逐滴滴加到混合均匀的反应前驱液中去，边滴加边搅拌，直至反应完全形成具有一定粘度的溶胶溶液；（3）对得到的溶胶溶液进行离心得到沉淀物，对沉淀物进行洗涤、干燥；（4）对干燥后的沉淀物进行粉碎，煅烧即得到目标物质。
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