[发明专利]一种缩短三扩散片扩散时间的工艺有效
| 申请号： | 201711057816.8 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755115B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/324 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种缩短三扩散片扩散时间的工艺，包括以下步骤：将清洗后的扩散片放置于预扩散用的容器内并进行摆片，将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散，将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散，对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理，对完成主扩散后处理的扩散片在预扩散炉内进行二次预扩散，对完成二次预扩散的扩散片在主扩散炉内进行二次主扩散，对二次主扩散完成后的扩散片进行出炉测试。本发明的有益效果是对扩散片进行两次预扩散和主扩散，可以大幅度的缩短扩散片的扩散时间，使得扩散片的主扩时间由原来的130～150h,缩短为70～90h，提高了扩散效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缩短 扩散 时间 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种缩短三扩散片扩散时间的工艺，其特征在于：主要包括以下步骤，s1：将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散；s2：将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散；s3：对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理；s4：对完成主扩散后处理的扩散片在所述预扩散炉内进行二次预扩散；s5：对完成二次预扩散的扩散片在所述主扩散炉内进行二次主扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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