[发明专利]信号通道和包括其的存储器模块有效
| 申请号： | 201711057605.4 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010544B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金东烨;李载濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种信号通道包括位于第一信号层中的至少一条第一信号线和位于第二信号层中的至少一条第二信号线。第一信号层在第一水平方向上延伸。第二信号层沿着与第一水平面平行的第二水平面延伸，并沿着与第一水平面和第二水平面正交的垂直方向与第一水平面间隔开。第一信号线包括第一耦合段，第二信号线包括第二耦合段。第一耦合段沿着垂直方向至少部分地与第二耦合段重叠。第一耦合段和第二耦合段定位为在第一耦合段和第二耦合段之间形成比在第一信号线和第二信号线的其它段之间形成的电容耦合程度更大的程度的电容耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 信号 通道 包括 存储器 模块 | ||
【主权项】：
1.一种信号通道，包括：位于第一信号层中的至少一条第一信号线和位于第二信号层中的至少一条第二信号线，其中所述第一信号层在第一水平面中延伸，其中所述第二信号层沿着与所述第一水平面平行的第二水平面延伸并沿着与所述第一水平面和所述第二水平面正交的垂直方向与所述第一水平面间隔开，其中所述第一信号线包括第一耦合段，所述第二信号线包括第二耦合段，其中所述第一耦合段沿着所述垂直方向至少部分地与所述第二耦合段重叠，并且其中所述第一耦合段和所述第二耦合段定位为在所述第一耦合段和所述第二耦合段之间形成比在所述第一信号线和所述第二信号线的其它段之间形成的电容耦合的程度更大程度的电容耦合。
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