[发明专利]磁存储器有效
| 申请号： | 201711057038.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN108010548B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平;积田淳史 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，其具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制所述信息的读入，在多个所述第一铁磁性金属层的每一个上连接有一个所述第一控制元件；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于第一方向交叉的第二方向延伸，并在所述第二铁磁性金属层的每一个上接合一个所述自旋轨道转矩配线，其中，所述第一方向为所述磁阻效应元件的层叠方向；多个第二控制元件，其控制在所述自旋轨道转矩配线中流通的电流，并在所述自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接有一个所述第二控制元件；第三控制元件，其分别连接于多个所述自旋轨道转矩配线的第二连接点，并控制所述信息的写入。
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