[发明专利]磁存储器

权利要求书

1.一种磁存储器，其具备：

多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；

多个第一控制元件，其控制所述信息的读入，在多个所述第一铁磁性金属层的每一个上连接有一个所述第一控制元件；

多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于第一方向交叉的第二方向延伸，并在所述第二铁磁性金属层的每一个上接合一个所述自旋轨道转矩配线，其中，所述第一方向为所述磁阻效应元件的层叠方向；

多个第二控制元件，其控制在所述自旋轨道转矩配线中流通的电流，并在所述自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接有一个所述第二控制元件；

第三控制元件，其分别连接于多个所述自旋轨道转矩配线的第二连接点，并控制所述信息的写入，

所述第一连接点是所述自旋轨道转矩配线的一端，所述第二连接点是所述自旋轨道转矩配线的另一端。

2.一种磁存储器，其具备：

多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；

第一控制元件，其分别连接于多个所述第一铁磁性金属层，并控制所述信息的读入；

多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于第一方向交叉的第二方向延伸，并在所述第二铁磁性金属层的每一个上接合一个所述自旋轨道转矩配线，其中，所述第一方向为所述磁阻效应元件的层叠方向；

多个第二控制元件，其控制在所述自旋轨道转矩配线中流通的电流，并在所述自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个所述第二控制元件；

多个第三控制元件，其控制所述信息的写入，并在所述自旋轨道转矩配线的每一个第二连接点连接一个所述第三控制元件，

所述第一连接点是所述自旋轨道转矩配线的一端，所述第二连接点是所述自旋轨道转矩配线的另一端。

3.根据权利要求1或2所述的磁存储器，其中，

在所述磁阻效应元件的与所述第一方向垂直的面内，所述磁阻效应元件的长轴所在方向为所述第二方向。

4.根据权利要求1或2所述的磁存储器，其中，

所述第一控制元件和所述第二控制元件在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上靠近配置。

5.根据权利要求1或2所述的磁存储器，其中，

所述第二控制元件和所述第三控制元件在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上靠近配置。

6.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

在存储1比特的所述信息所需的空间区域中，在将电路结构中的长度的最小加工尺寸的单位设为F的情况下，所述第三方向的长度为8F。

7.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

在存储1比特的所述信息所需的空间区域中，在将电路结构中的长度的最小加工尺寸的单位设为F的情况下，电路结构所需的所述第二方向和所述第三方向的平面的面积为16F²～1056F²。

8.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

所述第二控制元件及所述第三控制元件中流通的最大电流比所述第一控制元件中流通的最大电流大。

9.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

所述磁阻效应元件的电阻值比与所述磁阻效应元件接触的所述自旋轨道转矩配线的电阻值高。

10.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

所述第一控制元件的电阻比所述磁阻效应元件的电阻小。

11.根据权利要求4所述的磁存储器，其中，

所述磁阻效应元件在所述第二方向上以等间隔配置。