[发明专利]具有动态补偿和快速瞬态响应的LDO电路

摘要

本发明实施例涉及模拟集成电路技术领域。本发明实施例中，一种具有动态补偿和快速瞬态响应的LDO电路，包括输入级、多环路增益级、输出级和负载级。本发明通过引入动态偏置的方式，使得输入级的增益以及多环路增益级中C1和工作于深线性区的MOS电阻RMN3所引入的零极点对与负载电流ILoad相关，保证了环路在整个负载范围内的稳定性。同时动态偏置的方式使得输入级的单位增益带宽变大，提高了电路的电源抑制比。另外，多环路增益级中利用MP6和MN11可以加速输出电容上电荷的卸放，提高重载向轻载跳变时电路的响应速度。MN9可以加速功率管MP7栅极寄生电容上电荷的卸放，提高轻载向重载跳变时电路的响应速度。

主权项

1.一种具有动态补偿和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于：所述LDO电路，包括输入级、多环路增益级、输出级和负载级；所述多环路增益级由第二电流源I2、第一电容C1、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9组成；所述第二电流源I2其上端接电源，其下端接第六NMOS管MN6漏极；第一电容C1其上极接第二NMOS管MN2漏极，其下级接第三NMOS管MN3漏极；第四PMOS管MP4其栅极接VG，其源极接电源、其漏极接第四NMOS管MN4漏极；第五PMOS管MP5其栅极接第二PMOS管MP2漏极，其源极接VFB，其漏极接第五NMOS管MN5；第六PMOS管MP6其栅极接第二PMOS管MP2漏极，其源极接VFB，其漏极接第九NMOS管MN9漏极；第三NMOS管MN3其栅极接第四NMOS管MN4栅极，其源极接地，其漏极接第一电容C1下极；第四NMOS管MN4其栅极接第三NMOS管MN3栅极，其源极接地，其漏极接第四PMOS管MP4漏极；第五NMOS管MN5其栅极接第五PMOS管MP5漏极，其源极接地，其漏极接第五PMOS管MP5漏极；第六NMOS管MN6其栅极接第五NMOS管MN5栅极，其源极接地，其漏极接第二电源I2下端；第七NMOS管MN7其栅极接第八NMOS管MN8源极，其源极接地，其漏极接第八NMOS管MN8源极；第八NMOS管MN8其栅极接第二电流源I2下极，其源极接第七NMOS管MN7栅极，其漏极接接第二电流源I2下极；第九NMOS管MN9其栅极接第八NMOS管MN8漏极，其源极接地，其漏极接第六PMOS管MP6漏极。