[发明专利]一种高镝辅合金添加制备低成本钕铁硼磁体的方法

摘要

本发明公开了一种高镝辅合金添加制备低成本钕铁硼磁体的方法，该方法添加特殊氢破工艺处理的富镝辅合金粉末，进入钕铁硼晶界相中，达到即提高产品性能，也降低产品成本的目的，具体包括：将高镝辅合金(PrNd)₁₉Dy₂₃(FeCoCuGa)_balB₁用氢破炉，制成半脱氢粉末；将半脱氢粉末在气流磨中，制成2～4微米的粉末B；相同方法制备2～4微米的(PrNd)_30.5(FeCoAlCuGa)_balB_1.0粉末A；将粉末B加入到粉末A中，均匀混合；利用磁场压机，将混合均匀的粉末在磁场下取向成型，冷等静压，得到压坯；将压坯置于真空烧结炉中，烧结保温，一级回火保温，二级回火保温，获得烧结钕铁硼磁体。

主权项

1.一种高镝辅合金添加制备钕铁硼磁体的工艺方法，其特征在于：1)将(PrNd)₁₉Dy₂₃(FeCoCuGa)_balB₁合金置于氢破炉中，控制氢气压在0.1MPa，充分吸氢直至氢气压不变，在310℃下脱氢，制成110～150μm的半脱氢粉末；2)将以上(PrNd)₁₉Dy₂₃(FeCoCuGa)_balB₁半脱氢粉末在气流磨中，制成2～4微米的(PrNd)₁₉Dy₂₃(FeCoCuGa)_balB₁粉末B；3)将(PrNd)_30.5(FeCoAlCuGa)_balB_1.0合金置于氢破炉中，控制氢气压在0.1MPa，充分吸氢直至氢气压不变，在550℃下脱氢，制成110～150μm的氢破碎粉末；4)将以上(PrNd)_30.5(FeCoAlCuGa)_balB_1.0氢破碎粉末在气流磨中，制成2～4微米的(PrNd)_30.5(FeCoAlCuGa)_balB_1.0粉末A；5)将2)中所述粉末B与4)中所述的成份为(PrNd)_30.5(FeCoAlCuGa)_balB_1.0的粉末A利用三维混料机混粉，保证两种粉末均匀混合；6)利用磁场压机，将5)中混合均匀的粉末在磁场下取向成型，再经过冷等静压，得到密度为4.6～4.8g/cm³的压坯；7)将压坯置于真空烧结炉中，在1070～1100℃烧结保温3～4小时，在850～950℃一级回火保温2～3小时，在500～600℃二级回火保温3～4小时，最终获得烧结钕铁硼磁体。