[发明专利]一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法

摘要

一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余二维矩阵码构造方法。解决了现有二维矩阵码对存储器中的多单元翻转进行纠错保护时，冗余位过多的问题。对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m为行数，n为列数；采用本发明方法构造的低冗余二维矩阵码，可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n/2位错误，需要冗余位的个数为(m‑1)×n/2+n。本发明主要用于对存储器进行加固保护。

主权项

一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法，其特征在于，所述低冗余二维矩阵码为错误纠错码；该方法包括如下：步骤一：对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵；i位信息位依次为M1M2M3......Mi‑2Mi‑1Mi；其中，m为行数，n为列数，i为大于或等于8的偶数；步骤二：对i位信息位进行编码操作，获得(m‑1)×n/2+n位冗余位；(m‑1)×n/2+n位冗余位包括(m‑1)×n/2位水平冗余位和n位垂直冗余位；(m‑1)×n/2位水平冗余位依次为H1H2H3......H(m‑1)×n/2‑2H(m‑1)×n/2‑1H(m‑1)×n/2；n位垂直冗余位依次为V1V2V3......Vn‑2Vn‑1Vn；(m‑1)×n/2位水平冗余位排成的矩阵，并将该矩阵从左至右依次覆盖从m×n的矩阵中获取的(m‑1)×n矩阵，使其水平冗余位与相应信息位相对应，其中，从m×n的矩阵中获取的(m‑1)×n矩阵的获取过程为：由上至下取m×n的矩阵中的(m‑1)行、n列；n位垂直冗余位依次与m×n的矩阵中的各列相对应；步骤三：对读出的(m‑1)×n/2+n位冗余位和读出的i位数据位进行译码操作，获得(m‑1)×n/2+n位校正子；所述(m‑1)×n/2+n位校正子包括(m‑1)×n/2位水平校正子和n位垂直校正子；所述读出的i位数据为通过对i位信息位进行读取获得；读出的(m‑1)×n/2+n位冗余位为通过对(m‑1)×n/2位水平冗余位和n位垂直冗余位进行读取获得；(m‑1)×n/2位水平校正子依次为SH1SH2SH3......SH(m‑1)×n/2‑1SH(m‑1)×n/2；n位垂直校正子为依次为SV1SV2SV3......SVn‑1SVn；读出的i位数据位依次为M1′M2′M3′......M′i‑2M′i‑1Mi′，且读出的i位数据排列成一个m×n的矩阵；读出的(m‑1)×n/2位水平冗余位依次为H1'H'2H3'......H′(m‑1)×n/2‑2H′(m‑1)×n/2(m‑1)×n/2‑1H′(m‑1)×n/2；读出的n位垂直冗余位依次为V1'V2'V3'......V′n‑2V′n‑1Vn'；(m‑1)×n/2位水平校正子和n位垂直校正子均为低冗余二维矩阵码；步骤四：针对读出的i位数据位中的第1至第m‑1行，对每行中的每一位数据位进行校验，当相应校验位上的水平校正子和垂直校正子均为‘1’时，则判定相应数据位发生错误，并将其发生错误的数据位进行取反；从而实现了对读出的错误数据位进行纠错，进一步实现了对存储器进行加固；针对读出的i位数据位中的第m行，对该行中的每一位数据位进行校验，当该数据位所在列中的所有水平校正子均为‘0’，且其数据位所对应的垂直校正子为‘1’，则判定相应数据位发生错误，并将其发生错误的数据位进行取反，从而实现了对读出的错误数据位进行纠偏，进一步实现了对存储器进行加固。