[发明专利]一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法

说明书

技术领域

本发明涉及低冗余二维矩阵码构造方法，具体为集成电路存储器抗辐射加固领域中抗多单元翻转的错误纠错码的设计。

背景技术

使用错误纠错码来对存储器中的多单元翻转进行加固已经是一种比较成熟的技术。但是，随着工艺尺寸的缩小，存储器中翻转单元的位数也越来越多，这就要求必须使用纠错能力较高的错误纠错码。目前，二维矩阵码已经被构造用来对存储器中的多单元翻转进行纠错保护。这个二维矩阵码的主要缺点是其冗余位较多，如对于一个16位的信息位进行加固，则需要使用16位的冗余位。

发明内容

本发明是为了解决现有二维矩阵码对存储器中的多单元翻转进行纠错保护时，冗余位过多的问题，本发明提供了种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法。

一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法，所述低冗余二维矩阵码为错误纠错码；

该方法包括如下：

步骤一：对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵；

i位信息位依次为M₁M₂M₃......M_i-2M_i-1M_i；

其中，m为行数，n为列数，i为大于或等于8的偶数；

步骤二：对i位信息位进行编码操作，获得(m-1)×n/2+n位冗余位；

(m-1)×n/2+n位冗余位包括(m-1)×n/2位水平冗余位和n位垂直冗余位；

(m-1)×n/2位水平冗余位依次为H₁H₂H₃......H_(m-_1)×n/2-2H_(m-1)×n/2-1H_(m-1)×n/2；

n位垂直冗余位依次为V₁V₂V₃......V_n-2V_n-1V_n；

(m-1)×n/2位水平冗余位排成的矩阵，并将该矩阵从左至右依次覆盖从m×n的矩阵中获取的(m-1)×n矩阵，使其水平冗余位与相应信息位相对应，其中，从m×n的矩阵中获取的(m-1)×n矩阵的获取过程为：由上至下取m×n的矩阵中的(m-1) 行、n列；

n位垂直冗余位依次与m×n的矩阵中的各列相对应；

步骤三：对读出的(m-1)×n/2+n位冗余位和读出的i位数据位进行译码操作，获得 (m-1)×n/2+n位校正子；所述(m-1)×n/2+n位校正子包括(m-1)×n/2位水平校正子和 n位垂直校正子；所述读出的i位数据为通过对i位信息位进行读取获得；读出的 (m-1)×n/2+n位冗余位为通过对(m-1)×n/2位水平冗余位和n位垂直冗余位进行读取获得；

(m-1)×n/2位水平校正子依次为SH₁SH₂SH₃......SH_(m-1)_×n/2_-1SH_(m-1)_×n/2；

n位垂直校正子为依次为SV₁SV₂SV₃......SV_n-1SV_n；

读出的i位数据位依次为，且读出的i位数据排列成一个m×n 的矩阵；

读出的(m-1)×n/2位水平冗余位依次为

读出的n位垂直冗余位依次为；

(m-1)×n/2位水平校正子和n位垂直校正子均为低冗余二维矩阵码；

步骤四：针对读出的i位数据位中的第1至第m-1行，对每行中的每一位数据位进行校验，当相应校验位上的水平校正子和垂直校正子均为‘1’时，则判定相应数据位发生错误，并将其发生错误的数据位进行取反；从而实现了对读出的错误数据位进行纠错，进一步实现了对存储器进行加固；

针对读出的i位数据位中的第m行，对该行中的每一位数据位进行校验，当该数据位所在列中的所有水平校正子均为‘0’，且其数据位所对应的垂直校正子为‘1’，则判定相应数据位发生错误，并将其发生错误的数据位进行取反，从而实现了对读出的错误数据位进行纠偏，进一步实现了对存储器进行加固。