[发明专利]一种SOI-RC-LIGBT器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种SOI‑RC‑LIGBT器件及其制备方法，包括N型衬底、埋氧化层和N型漂移区、沟槽栅极结构、P型基区、N+源区和P+接触区、发射极、氧化层、N型缓冲区、P型集电极区；在P型基区和N型缓冲区之间的N型漂移区表面具有N型条，N型条下方漂移区中具有P型埋层；N型条的右侧及P型埋层的右侧，与N型缓冲层的左侧及P型集电极区的左侧之间具有介质槽结构；N型条和介质槽结构之间具有N+集电区；本发明提出的SOI‑RC‑LIGBT，在消除IGBT导通特性snapback现象的同时，提高器件的击穿电压，降低器件的正向导通压降，提高关断速度，减小关断损耗，同时，改善集成续流二极管的反向恢复特性。

主权项

一种SOI‑RC‑LIGBT器件，包括：从下至上依次设置的N型衬底(9)、埋氧化层(8)和N型漂移区(15)；所述N型漂移区(15)内部一端设有由栅介质层(7)和栅电极(6)组成的沟槽栅极结构，栅电极(6)位于所述栅介质层(7)的一侧内部；所述N型漂移区(15)内部栅介质层(7)另一侧设有P型基区(5)，所述P型基区(5)内部上方设有N+源区(2)和P+接触区(4)，所述P型基区(5)和N+源区(2)的侧面都与栅介质层(7)的侧面相接触；所述N+源区(2)和P+接触区(4)上方具有发射极(3)，所述栅介质层(7)和栅电极(6)上方是氧化层(1)；所述N型漂移区(15)内部远离沟槽栅极结构的一端设有N型缓冲区(14)，所述N型缓冲区(14)内部上方设有P型集电极区(11)；其特征在于：在P型基区(5)和N型缓冲区(14)之间的所述N型漂移区(15)表面具有N型条(16)，所述N型条(16)下方漂移区中具有P型埋层(17)；所述P型埋层(17)不与P型基区(5)相接触；所述N型条(16)的右侧及P型埋层(17)的右侧，与N型缓冲层(14)的左侧及P型集电极区(11)的左侧之间具有介质槽结构(18)；所述N型条(16)和介质槽结构(18)之间具有N+集电区(13)；所述N+集电区(13)的部分上表面、及介质槽结构(18)和P型集电极区(11)的上表面是集电极(12)；所述介质槽结构(18)的深度不小于N型条(16)和P型集电极区(11)的深度；所述N型条(16)和P型埋层(17)的浓度大于所述N型漂移区(15)的浓度。