[发明专利]用于电子芯片的热辐射性能测量方法在审
| 申请号： | 201711022952.3 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107843830A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋祥春 | 申请（专利权）人： | 蒋祥春 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 641200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于电子芯片的热辐射性能测量方法，包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤步骤1提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。所述阈值范围H根据实际待测器件的大小种类具体设定。所述检测平台底部设置温度探测器和控制器，所述温度探测器探测检测平台的温度并发送至控制器，控制器接收温度信息并根据预设的阈值范围H判断。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 芯片 热辐射 性能 测量方法 | ||
【主权项】：
用于电子芯片的热辐射性能测量方法，其特征在于：包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。
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