[发明专利]用于电子芯片的热辐射性能测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测装置，具体涉及用于电子芯片的热辐射性能测量方法。

背景技术

随着网络技术的发展，网络被广泛的应用到各个领域，然而对网络的状态信息的获取目前还仅限于网络中互相通讯的微机状态并不能对网络的实时状态、性能和运行环境等信息进行有效的获取，网络的维护还被动的依赖于网络中微机的联网状态，现在的计算机网络监控装置，结构较为复杂，体积庞大，散热效果较差，在具体使用时特别是网络监测装置大功率运行时，会产生大量的热量，若不及时的散热，将会出现网络监测装置运行缓慢，严重时将会导致网络监测装置烧坏的现象。电子照明设备也一样，散热不及时或者不达标会烧坏照明器件，所以我们需要在出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测，目的在于提供用于电子芯片的热辐射性能测量方法，解决出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测的问题。

本发明通过下述技术方案实现：

用于电子芯片的热辐射性能测量方法，包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。现在的计算机网络监控装置，结构较为复杂，体积庞大，散热效果较差，在具体使用时特别是网络监测装置大功率运行时，会产生大量的热量，若不及时的散热，将会出现网络监测装置运行缓慢，严重时将会导致网络监测装置烧坏的现象。电子照明设备也一样，散热不及时或者不达标会烧坏照明器件，所以我们需要在出厂时对元器件设备的散热状态做一个合格的检测，本发明为了解决这一问题，设计一个温度检测台，解决此问题，通过线性比值台判断是否为合格产品对比传统的探测有点在于这是一个连续的探测，不能排除有的元器件只是瞬时散热不好，习惯环境后就变得正常，所以长期的探测一瞬间的散热导致很多的合格产品也被标记为不合格，很多不合格的产品也被标记为合格。

所述阈值范围H根据实际待测器件的大小种类具体设定。进一步，作为本发明的优选方案。

所述检测平台底部设置温度探测器和控制器，所述温度探测器探测检测平台的温度并发送至控制器，控制器接收温度信息并根据预设的阈值范围H判断。进一步，作为本发明的优选方案。局限性不强，这个阈值范围是可以自行调节。

还包括显示屏，显示屏显示控制器的判断结果，进一步，作为本发明的优选方案。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明用于电子芯片的热辐射性能测量方法，通过线性比值台判断是否为合格产，实用性高；

2、本发明用于电子芯片的热辐射性能测量方法，通过线性比值台判断是否为合格产品对比传统的探测有点在于这是一个连续的探测，探测结果更加的准确；

3、本发明用于电子芯片的热辐射性能测量方法，局限性不强，这个阈值范围是可以自行调节。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

实施例1

本发明用于电子芯片的热辐射性能测量方法，包括检测装置，所述检测装置包括以下步骤：步骤1：提供待检测设备，置于检测平台上；步骤2：在高温状态下通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K1；步骤3：待步骤2中的待检测设备冷却至常温状态，再次通电30分钟，检测30分钟内待检测设备的温度线性变化斜率K2；步骤4：将K1，K2与阈值范围H比较，超出H范围标记为不合格，不超出H范围标记为合格。工作时：设计一个温度检测台，解决此问题，通过线性比值台判断是否为合格产品对比传统的探测有点在于这是一个连续的探测，不能排除有的元器件只是瞬时散热不好，习惯环境后就变得正常，所以长期的探测一瞬间的散热导致很多的合格产品也被标记为不合格，很多不合格的产品也被标记为合格。

实施例2