[发明专利]一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法有效
| 申请号： | 201711019189.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109703220B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B41K1/04 | 分类号： | B41K1/04;B41K1/38 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，方法包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。本发明利用复合基架式的印章，能有效调控印章粘附力，提高了薄膜的转印效率，减少了对工艺条件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 印章 及其 制备 方法 量子 | ||
【主权项】：
1.一种复合印章的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将印章基架的第一变形态支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。
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