[发明专利]一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法有效
| 申请号： | 201711012335.5 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107749396B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪;刘翠翠 | 申请（专利权）人： | 江西硅辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，通过在扩散源层沉积后进行等离子刻边，然后再进行高温扩散的方法，解决晶体硅太阳电池扩散制结易于造成的边缘漏电问题。本发明结合沉积固态源再进行高温扩散的方法，适用于n型单晶硅或多晶硅PERT太阳电池的制备，也可用于p型单晶硅或多晶硅的扩磷、扩硼等。经过这样的刻边过程，扩散后硅片只需采用常规的HF酸溶液即可方便去除变为氧化层的扩散源层，包括侧边的氧化层。彻底解决边缘漏电问题，且有现有晶体硅产线技术兼容，成本也很低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 结晶体 太阳电池 等离子 方法 | ||
【主权项】：
一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，其特征是在扩散源层沉积后、扩散工艺进行前采用等离子刻蚀的方法对硅片边缘进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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