[发明专利]包含晶体管器件的半导体器件

摘要

本发明公开了包含晶体管器件的半导体器件。实施例的半导体器件（10）包含在包含半导体本体（101）的半导体管芯（100）中的晶体管器件（11）。晶体管器件（11）包含并联连接并且在半导体本体（101）的第一表面（104）处覆盖全部有源区域（103）的至少80％的晶体管单元（102）。半导体器件（10）还包含在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的控制电极（106）的控制端子接触区域（G）。在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的第一负载端子区（108）的第一负载端子接触区域（S）。半导体器件（10）还包含在半导体管芯（100）中并且电耦合在控制端子接触区域（G）与第一负载端子接触区域（S）之间的电阻器（R）。

主权项

一种半导体器件（10），包括：在包含半导体本体（101）的半导体管芯（100）中的晶体管器件（11），所述晶体管器件（11）包括并联连接并且在所述半导体本体（101）的第一表面（104）处覆盖全部有源区域（103）的至少80％的晶体管单元（102）；在所述第一表面（104）处的控制端子接触区域（G），其电连接到所述晶体管单元（102）中的每个的控制电极（106）；在所述第一表面（104）处的第一负载端子接触区域（S），其电连接到所述晶体管单元（102）中的每个的第一负载端子区（108）；以及电阻器（R），其在所述半导体管芯（100）中并且电耦合在所述控制端子接触区域（G）与所述第一负载端子接触区域（S）之间，其中，从所述控制端子接触区域（G）经由电阻器（R）到所述第一负载端子接触区域（S）的电流路径被配置为在栅极电压供给中断的故障模式下对所述晶体管器件（11）的栅极进行放电，并且其中所述电阻器（R）在所述控制端子接触区域（G）下方或在控制端子互连线路（GI）下方横向延伸，并且所述电阻器（R）经由接触（117）电连接到所述控制端子接触区域（G）或所述控制端子互连线路（GI），并且其中，所述电阻器（R）的电阻由所述接触（117）沿着所述电阻器（R）在所述控制端子接触区域（G）下方或在所述控制端子互连线路（GI）下方的横向延伸的位置来设定。