[发明专利]包含晶体管器件的半导体器件

说明书

本发明公开了包含晶体管器件的半导体器件。实施例的半导体器件（10）包含在包含半导体本体（101）的半导体管芯（100）中的晶体管器件（11）。晶体管器件（11）包含并联连接并且在半导体本体（101）的第一表面（104）处覆盖全部有源区域（103）的至少80％的晶体管单元（102）。半导体器件（10）还包含在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的控制电极（106）的控制端子接触区域（G）。在第一表面（104）处的、电连接到晶体管单元（102）中的每个的第一负载端子区（108）的第一负载端子接触区域（S）。半导体器件（10）还包含在半导体管芯（100）中并且电耦合在控制端子接触区域（G）与第一负载端子接触区域（S）之间的电阻器（R）。

技术领域

本发明涉及包含晶体管器件的半导体器件。

背景技术

基于半导体功率晶体管诸如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或绝缘栅场效应晶体管（IGFET）（例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET））的半导体器件通常切换大的负载电流。在各种应用中的操作期间在这些器件中可能出现的故障模式需要保护性措施，以防止半导体器件损坏，诸如过热。

为了满足这些需求，期望改善半导体器件的保护性措施。

发明内容

该目的通过独立权利要求的教导实现。在从属权利要求中限定另外的实施例。

本公开涉及半导体器件。该半导体器件包含在包含半导体本体的半导体管芯中的晶体管器件。晶体管器件包含并联连接并且在半导体本体的第一表面处覆盖全部有源区域的至少80％的晶体管单元。该半导体器件还包含在第一表面处的、电连接到晶体管单元中的每个的控制电极的控制端子接触区域。在第一表面处的、电连接到晶体管单元中的每个的第一负载端子区的第一负载端子接触区域。半导体器件还包含在半导体管芯中并且电耦合在控制端子接触区域与第一负载端子接触区域之间的电阻器。

本领域技术人员在阅读以下详细描述时以及在查看附图时，将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包含以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成其一部分。附图图示本公开的实施例，并且与本描述一起用于解释本公开的原理。将容易领会到其他实施例和预期优点，因为通过参考下面的详细描述，它们变得更好理解。

图1A描绘半导体器件的示意性平面视图，用于图示包含电耦合在第一负载端子和控制端子之间的电阻器的功率晶体管的实施例。

图1B至1D分别图示沿着图1A的切割线AA、BB、CC的示意性横截面视图，用于图示实施例。

图2A至2C分别图示示意性图示沿着图1A的切割线AA、BB、CC的示意性横截面视图，用于图示实施例。

图3描绘半导体器件的示意性横截面视图，用于图示根据实施例的、对电阻器的电阻值和二极管的阻断电压能力的灵活调整。

图4是作为三端子器件的图1中图示的半导体器件的示意性图示。

图5是作为五端子器件的图1中图示的半导体器件的示意性图示。

具体实施方式

在下面的详细描述中参考附图，附图形成本文中的一部分并且在附图中通过图示的方式示出在其中可以实践本发明的具体实施例。要理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构的或逻辑的改变。例如，针对一个实施例图示或描述的特征可以在其他实施例上使用或与其他实施例结合使用，以产生又另一实施例。旨在本发明包含这样的修改和变化。使用具体语言描述示例，所述具体语言不应被解释为限制所附权利要求的范围。附图不按比例，并且仅用于说明的目的。为了清楚起见，如果没有另外声明，则相同的元件在不同的附图中已由相应的参考符号指定。