[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201711008862.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109704269A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：背板；位于所述背板上的互连层；其中，所述互连层包括依次堆叠的第一导电层和第二导电层，所述互连层还包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，用于防止所述第一导电层和第二导电层彼此之间的相互扩散。本发明通过设置所述扩散阻挡层阻止了所述第一导电层和第二导电层彼此之间的相互扩散，解决了所述互连层接合失败的问题，进一步提高了所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 互连层 扩散阻挡层 电子装置 背板 制备 扩散 接合 堆叠 良率 失败 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：背板；位于所述背板上的互连层；其中，所述互连层包括依次堆叠的第一导电层和第二导电层，所述互连层还包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，用于防止所述第一导电层和第二导电层彼此之间的相互扩散。
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