[发明专利]一种集成反型MOS绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711003533.5 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108022973A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;金锐;潘艳;赵岩;温家良;徐向前;刘双宇;周哲;朱涛;刘江;徐哲;赵哿;王耀华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成反型MOS绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结构及其制作方法。该结构包括衬底、设置在衬底上表面的元胞掺杂区、集成反型MOS掺杂区、隔离栅电极的介质层、与元胞结构相匹配的电极金属和栅结构。本发明提供的一种集成反型MOS高关断能力绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可在不影响其它特性的前提下，提高器件有源区关断时的少子抽取能力，进而提高芯片的关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 mos 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成反型MOS绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于，所述结构包括：衬底(113)和所述衬底(113)上表面设置的元胞掺杂区(101)、集成反型MOS掺杂区(102、104)，所述衬底(113)下表面设置的背面集电极掺杂区(114)；所述元胞掺杂区(101)包括掺杂区(111)和(121)；所述衬底(113)及所述集成反型MOS掺杂区(102)的上表面设有栅电极(103)；所述栅电极(103)与所述衬底(113)之间由氧化层电隔离；所述衬底(113)和所述元胞掺杂区(101)的上表面设置有发射极(105)；所述发射极(105)与所述元胞掺杂区(101)欧姆接触；与所述集成反型MOS掺杂区(104)欧姆接触；所述衬底(113)和所述背面集电极掺杂区(114)的下表面设置有背面集电极(115)；所述背面集电极(115)与所述背面集电极掺杂区(114)欧姆接触。
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