[发明专利]PERC太阳能电池的镀膜方法、制备方法及PERC太阳能电池有效
申请号: | 201710994301.4 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN107731961B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 梁吉连;江坚;张剑锋;王仕鹏;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种PERC太阳能电池的镀膜方法,发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成叠层膜,该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜;其中,在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜的步骤包括:将待镀膜的硅片置于反应炉中对硅片的正面进行减反射膜的沉积操作;沉积操作结束后将硅片在反应炉中静置第一预定时长;静置结束后将硅片从反应炉中取出。相应地,本发明还提供了一种PERC太阳能电池的制备方法及PERC太阳能电池。本发明可以有效降低PERC太阳能电池的EL异常比例、提高PERC太阳能电池的效率以及良率。 | ||
搜索关键词: | perc 太阳能电池 镀膜 方法 制备 | ||
【主权项】:
1.一种PERC太阳能电池的镀膜方法,该镀膜方法发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成叠层膜,该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜;其中,在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜的步骤包括:将待镀膜的硅片置于反应炉中对所述硅片的正面进行减反射膜的沉积操作;沉积操作结束后将反应炉中的第一沉积温度调高至静置温度;将所述硅片在反应炉中静置第一预定时长;静置结束后将反应炉中的所述静置温度调低至所述第一沉积温度;将所述硅片从反应炉中取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的