[发明专利]PERC太阳能电池的镀膜方法、制备方法及PERC太阳能电池有效
申请号: | 201710994301.4 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN107731961B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 梁吉连;江坚;张剑锋;王仕鹏;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 太阳能电池 镀膜 方法 制备 | ||
本发明提供了一种PERC太阳能电池的镀膜方法,发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成叠层膜,该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜;其中,在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜的步骤包括:将待镀膜的硅片置于反应炉中对硅片的正面进行减反射膜的沉积操作;沉积操作结束后将硅片在反应炉中静置第一预定时长;静置结束后将硅片从反应炉中取出。相应地,本发明还提供了一种PERC太阳能电池的制备方法及PERC太阳能电池。本发明可以有效降低PERC太阳能电池的EL异常比例、提高PERC太阳能电池的效率以及良率。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种PERC太阳能电池的镀膜方法、制备方法及PERC太阳能电池。
背景技术
PERC太阳能电池的全称是发射极及背表面钝化的太阳能电池。由于PERC太阳能电池具有电池效率高、工艺简单、成本较低、且与现有生产线兼容性高等特点,因此得到了业界的广泛关注,有望成为未来高效太阳能电池的主流方向。
现有技术中,PERC太阳能电池的制备方法主要包括对硅片依次进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质、镀膜、背面局部开槽、丝网印刷以及烧结。其中,镀膜步骤是指在硅片的正面形成减反射膜(通常采用SixNy膜)以及在硅片的背面形成叠层膜,叠层膜进一步包括钝化膜(通常采用AL2O3膜)以及位于钝化膜上的保护膜(通常采用SixNy膜)。目前常规的镀膜工艺都是先在硅片正面形成减反射膜,然后在硅片的背面依次形成钝化膜和保护膜,即采用“正面减反射膜—>背面钝化膜—>背面保护膜”的顺序进行镀膜。
针对于在硅片正面形成减反射膜的步骤来说,现有技术的做法是:将插有硅片的石墨舟放置在反应炉内并设置反应炉内的沉积温度(常规为400℃至450℃),在该沉积温度下对硅片进行减反射膜的沉积操作,沉积操作结束后直接进行抽真空、清洗、充氮以及取舟操作,至此在硅片正面形成减反射膜的步骤结束。
针对于在硅片背面形成钝化膜的步骤来说,现有技术的做法是:将插有硅片的石墨舟放置在反应炉内并设置反应炉内的沉积温度(常规为400℃至450℃),在该沉积温度下对硅片进行钝化膜的沉积操作,沉积操作结束后直接进行抽真空、清洗、充氮以及取舟操作,至此在硅片背面形成钝化膜的步骤结束。
针对于在硅片背面形成保护膜的步骤来说,现有技术的做法是:将插有硅片的石墨舟放置在反应炉内并设置反应炉内的沉积温度(常规为400℃至450℃),将硅片静置一段时间(常规为720秒至1020秒)后执行沉积操作,沉积操作结束后再进行抽真空、清洗、充氮以及取舟操作,至此在硅片背面形成保护膜的步骤结束。
采用上述镀膜工艺制备的PERC太阳能电池存在一个问题,即电致发光(EL,Electroluminescence)异常比例偏高。其中,EL异常会影响PERC太阳能电池的性能,导致热斑老化试验失效。在投产过程中,EL异常的PERC太阳能电池被判定为次级品,质量无法得到保证。此外,PERC太阳能电池在效率、良率等方面也会受到上述镀膜工艺的影响。
发明内容
为了克服现有技术中的上述缺陷,本发明提供了PERC太阳能电池的镀膜方法,该镀膜方法发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:
在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成叠层膜,该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜;
其中,在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜的步骤包括:
将待镀膜的硅片置于反应炉中对所述硅片的正面进行减反射膜的沉积操作;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的