[发明专利]一种Ni基单晶高温合金生长过程中枝晶间距的控制方法有效
| 申请号： | 201710992617.X | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107747120B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孟祥斌;李金国;刘纪德;张朝威;王猛;赵乃仁;王志辉;金涛;孙晓峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ni基单晶高温合金生长过程中枝晶间距的控制方法，属于单晶高温合金技术领域。该方法针对Ni基单晶高温合金，在定向凝固过程中，通过调整枝晶生长路径，达到控制枝晶间距的目的。Ni基单晶铸件枝晶粗化时，可通过改变单晶铸件生长方式来调整枝晶间距。本发明通过调整枝晶生长路径达到控制枝晶间距的目的，为今后制备具有变截面特征的单晶结构件奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni 基单晶 高温 合金 生长 过程 中枝晶 间距 控制 方法 | ||
【主权项】：
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