[发明专利]粒子及其制备方法和QLED器件在审
| 申请号： | 201710985980.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109694704A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米发光材料技术领域，具体涉及一种粒子及其制备方法和QLED器件。所述粒子包括量子点和与所述量子点结合的表面配体，所述表面配体为硫代硫酸根或硫代硫酸根衍生物。该表面配体作为一种二齿配体，其端基上的氧、硫可以与量子点表面上的阳离子强烈结合，其可以完全充满量子点表面；同时，其还改变量子点之间的介电环境和隧穿距离来影响载流子的迁移率，有助于提高量子点以及相关器件的稳定性和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 表面配体 粒子 量子点表面 硫代硫酸根 制备 纳米发光材料 影响载流子 二齿配体 发光效率 介电环境 迁移率 阳离子 端基 隧穿 | ||
【主权项】：
1.一种粒子，包括量子点和与所述量子点结合的表面配体，其特征在于，所述表面配体为硫代硫酸根或硫代硫酸根衍生物。
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