[发明专利]制造氮化镓衬底的方法有效
| 申请号： | 201710984379.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978659B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金美贤;姜三默;金峻渊;卓泳助;朴永洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化镓衬底的方法，所述方法包括：在硅衬底的第一表面上形成覆盖层；在所述硅衬底的第二表面上形成缓冲层，所述第二表面与所述第一表面相对；通过执行氢化物气相外延工艺，在所述缓冲层上形成氮化镓衬底；以及移除所述覆盖层和所述硅衬底。
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