[发明专利]改善光刻标记对准精度的方法、超级结产品的制备方法及超级结产品有效
| 申请号： | 201710981009.9 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107706148B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张熠鑫 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 蔡蓉 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子芯片生产制造领域，具体而言，提供了一种改善光刻标记对准精度的方法、超级结产品的制备方法及超级结产品。所述改善光刻标记对准精度的方法包括以下步骤：(a)对具有初始标记的外延片进行离子注入，离子注入的位置为初始标记的底部，注入的离子元素至少为一种；所述离子元素包括惰性元素，和/或，与第二次外延生长时的掺杂元素同族的元素；(b)依次进行第二次外延生长、第三次外延生长、光刻和刻蚀的步骤，刻蚀时在初始标记区域之外形成对位标记。该方法能够提高光刻标记的对准精度，大大减少了光刻次数，工序更为简洁，生产效率高、生产成本低，且芯片质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光刻 标记 对准 精度 方法 超级 产品 制备 | ||
【主权项】：
一种改善光刻标记对准精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)对具有初始标记的外延片进行离子注入，离子注入的位置为初始标记的底部，注入的离子元素至少为一种；所述离子元素包括惰性元素，和/或，与第二次外延生长时的掺杂元素同族的元素；(b)依次进行第二次外延生长、第三次外延生长、光刻和刻蚀的步骤，刻蚀时在初始标记区域之外形成对位标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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