[发明专利]硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法，本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器包括由下至上依次设置的N电极、N+硅外延层衬底、N++硅埋层、I(N‑)外延层、二氧化硅钝化层和氮化硅保护层，所述I(N‑)外延层上部设置有保护环掺杂区，所述保护环掺杂区内设置有P型保护环，所述P型保护环内形成P‑有源区和P+有源区。本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器解决了现有PIN光电探测器具有的光生载流子的扩散时间长，及探测器的响应速度慢的技术问题。本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高速高响应PIN光电探测器，其响应速度快，响应度高，能满足大面积高速高响应探测系统的需求。

主权项

1.一种硅基高速高响应PIN光电探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的N电极(8)、N⁺硅外延层衬底(4)、N⁺⁺硅埋层(10)、I(N^‑)外延层(1)、二氧化硅钝化层(5)和氮化硅保护层(6)，所述I(N^‑)外延层(1)上部设置有保护环掺杂区，所述保护环掺杂区内设置有P型保护环(2)，采用离子注入工艺和高温硼扩散工艺相结合在所述P型保护环(2)内形成P^‑有源区(3)和P⁺有源区(9)，所述P型保护环(2)正上方刻蚀出有电极孔，所述电极孔内设置有与P型保护环(2)连接的P电极(7)。