[发明专利]CMOS影像感测器的深沟槽隔离结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种CMOS影像感测器的深沟槽隔离结构及其制造方法，所述深沟槽隔离结构包括位于基底中的光感测区之间的多个隔离结构，且每个隔离结构包括第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构。第一沟槽隔离结构形成于基底的第一表面内，其中第一沟槽隔离结构包括第一填充层与包覆第一填充层表面的第一介电衬层。第二沟槽隔离结构形成于基底中相对于第一表面的第二表面内，且第二沟槽隔离结构包括第二填充层与包覆第二填充层表面的第二介电衬层，其中第二介电衬层的底面与第一介电衬层的底面直接接触。

主权项

1.一种CMOS影像感测器的深沟槽隔离结构，包括：基底，包括多个光感测区；以及多个隔离结构，分别位于该些光感测区之间，其中各该隔离结构包括：第一沟槽隔离结构，形成于该基底的第一表面内，其中该第一沟槽隔离结构包括第一填充层与包覆该第一填充层表面的第一介电衬层；以及第二沟槽隔离结构，形成于该基底的第二表面内，且该第二表面相对于该第一表面，其中该第二沟槽隔离结构包括第二填充层与包覆该第二填充层表面的第二介电衬层，且该第二介电衬层的底面与该第一介电衬层的底面直接接触。