[发明专利]一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板及其制备方法

摘要

本发明提供了一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板，包括依次接触的玻璃基体、SiO₂层、第一含氢DLC层和第二含氢DLC层；所述第二含氢DLC层的含氢量高于所述第一含氢DLC的含氢量。本发明结合含氢类金刚石的特点，设计了一种新型双层的类金刚石膜层结构，通过将两层含氢量不同的DLC薄膜复合在一起，在保证高的光学透过率的条件下，提高膜层的硬度及耐摩擦性能，降低膜层的动摩擦系数。本发明还提供了一种高硬度耐磨玻璃盖板的制备方法，本发明通过磁控溅射的方法，在玻璃盖板基体表面依次镀膜，将各膜层紧密结合在一起，进一步提高产品的耐摩擦性能。

主权项

1.一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板，包括依次接触的玻璃基体、SiO₂层、第一含氢DLC层和第二含氢DLC层；所述第二含氢DLC层的含氢量高于所述第一含氢DLC的含氢量；所述类金刚石薄膜复合玻璃盖板按照以下步骤制备得到：A)以Si为靶材，通入Ar气和O₂，在真空条件下对玻璃基体进行磁控溅射，得到镀有SiO₂层的玻璃基体；B)以石墨为靶材，通入Ar气和H₂，在真空条件下对镀有SiO₂层的玻璃进行磁控溅射，得到镀有第一含氢DLC层的玻璃基体；所述H₂的流量为10～30sccm；所述步骤B)真空度为(3.0～6.0)E‑6mTorr；Ar气的流量为25～45sccm；所述步骤B)中所述磁控溅射的镀膜气压为3.0～6.0mTorr；所述磁控溅射的镀膜电压为600～800V；所述磁控溅射的镀膜时间为15～50s；所述石墨靶的功率为5.0～8.0kW；C)以石墨为复合靶材，通入Ar气和H₂，在真空条件下对镀有含氢DLC层的玻璃基体进行磁控溅射，得到类金刚石薄膜复合玻璃盖板；所述H₂的流量为20～60sccm；所 述步骤C)中，真空度为(3.0～6.0)E‑6mTorr；Ar气的流量为20～60sccm；所述步骤C)中所述磁控溅射的镀膜气压为3.0～6.0mTorr；所述磁控溅射的镀膜电压为550～800V；所述磁控溅射的镀膜时间为15～50s；所述石墨靶的功率为5.0～8.0kW。